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IRLR2705TRPBF  与  IPD350N06L G  区别

型号 IRLR2705TRPBF IPD350N06L G
唯样编号 A36-IRLR2705TRPBF A-IPD350N06L G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 68 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@17A,10V 35mΩ@29A,10V
上升时间 - 21ns
Qg-栅极电荷 - 10nC
栅极电压Vgs ±16V 10V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 28A 29A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
下降时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 68W(Tc) 68W
典型关闭延迟时间 - 29ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS2
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
典型接通延迟时间 - 6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
库存与单价
库存 10,009 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.233
100+ :  ¥1.716
1,000+ :  ¥1.496
2,000+ :  ¥1.408
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR2705TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.716
1,000: ¥1.496
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40: ¥4.7912
50: ¥4.2451
100: ¥3.7755
500: ¥3.7755
1,000: ¥3.7659
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